Основные понятия о работе телефонных станций и абонентских устройств
       

ХАРАКТЕРИСТИКИ МИКРОСХЕМ ЭЛЕКТРОННОГО НАБОРА НОМЕРА


В таблицах 2.7 и 2.8 приведены основные параметры ряда зарубежных и отечественных микросхем ЭНН, наиболее часто применяемых в ТА.

Сокращения принятые в таблицах:

Uик. защ. - предельное напряжение внутреннего защитного стабилитрона ИС, установленного на выходе ИК (прочерк означает отсутствие защиты).

Iвн. cm. - ток внутреннего источника опорного напряжения питания ИС, равного 3 В. Максимальный ток стабилитрона - 7 - 10 мА. При этом токе напряжение на стабилитроне может достигать 5,5 В (прочерк означает отсутствие внутреннего стабилитрона).

Icmam. - ток, потребляемый микросхемой в статическом режиме.

Iдин. - ток, потребляемый микросхемой в динамическом режиме (во время набора номера).

Напряжение питания практически всех ИС ЭНН составляет 2,6 - 5,5 В. Параметры 'Icmam. и 1дин.. даны для U - 3 В, ненагруженных выходах ИС и отключенном общем выводе внутреннего источника опорного напряжения, если он имеется. Знаком "*" помечены те параметры, которые даны для U - 5 В.

ОЗУ, знаков - количество знаков последнего набранного номера, которое может быть сохранено.

Доп. ОЗУ - для ИС, имеющих дополнительную память. Количество номеров, которое может быть сохранено и вызвано посредством функциональных клавиш (прочерк означает отсутствие дополнительной памяти). Количество знаков в номере, как правило, не соответствует количеству знаков, запоминаемых в последнем набранном номере. В большинстве ИС ЭНН количество знаков номера в дополнительной памяти не превышает 16.

Тип выхода - схемотехническое решение организации выхода импульсного (ИК) и разговорного (РК) ключей.

ОС - выход с открытым стоком (рис. 2.1,о).

Л - логический выход (рис. 2.1, в).

Л1 - логический выход РК, формирующий низкий уровень на весь период набора номера (пример - рис. 2.21, ИС КР1008ВЖ10).

Л2 - логический выход РК, формирующий низкий уровень на период набора одного знака (пример - рис. 2.20 ИС КР1008ВЖ12).

ЛЗ - логический выход РК, формирующий высокий уровень на весь период набора номера (пример - рис. 2.19 ИС КР1008ВЖ17).

M/S - значение импульсного коэффициента в зависимости от логического состояния входа M/S ("0" или "1").

IPS - значение длительности межсерийной паузы в мс в зависимости от логического состояния входа IPS.

DRS - значение частоты набора в Гц в зависимости от логического состояния входа DRS.

MODE - режим работы микросхемы "Р"- импульсный, "Т"- частотный, в зависимости от логического состояния на входе.

Если в графе "выходные параметры ИК при логическом состоянии входов" приведено одно значение, то в этой ИС отсутствует вход управления данным параметром и он в микросхеме жестко определен (прочерк означает отсутствие данного режима).

На рис. 2.10 + 2.13 приведены цоколёвки микросхем как зарубежного, так и отечественного производства.

На рис. 2.18 приведены схемы подключения времязадающих элементов генератора ИС ЭНН.
Кварцевый резонатор на частоту 3,579545 МГц, который используется в большинстве зарубежных ИС ЭНН, применяется в декодерах цветных телевизоров системы NTSI, вследствие чего получил большое распространение и является самым недорогим из стандартных кварцевых резонаторов. На рис. 2.19 - 2.21 приведены временные диаграммы выходов импульсного (NSI) и разговорного (NSA) ключей микросхем ЭНН. Различия выходных сигналов определяются отнюдь не страной - производителем, а принципом построения ИС для ее использованием в той или иной схеме.



Табл. 2.7. Характеристики микросхем номеронабирателей.
Тип ИС Номер рис. Номер рис. гев-ра Кол-во выводов Uик защ. В Iвн.cm., мА Icmаm. мкА Iдин. мкА
При U = 3 В
CIC9102E 2.10,в 2.18,р 18 7,5 - 12 12
CIC9104E 2.10,е 2.18.р 16 7,5 - 12 12
CIC9145E 2.13,6 2.18.л 22 - - 0,2* 600*
CIC9192BE 2.10,г 2.18,а 16 25 0,12 25 40
ЕТ40982 2.10,д 2.18,з,и 16 22 0,8 40 110
ЕТ40992 2.10,а 2.18,0 18 22 0,8 25 40
FT58C51 2.10,а 2.18,6 18 17 0,7 0,1 19
HD970040D 2.10,д 2.18,з,и 16 22 0,8 35 100
HD970019-L 2.10,з 2.1S.M 16 - - 45 550
НМ9100А1 2.10,0 2.18,0 18 25 0,6 15 35
НМ9100В 2.10,ж 2.18,в 16 28 - 15 35
НМ9102 2.11,а 2.18,н 18 - - 10 300
HM9110D 2.11,0 2.18.н 18 - - 15 350
НМ9112А 2.13,6 2.18,л 22 - - 0,2* 600*
НМ9113А 2.13,6 2.18.л 22 - - 0,2* 600*
НМ9121 2.13,а 2.18,n 28 - - 10 400
НМ91650В 2.13,e 2.l8,м 22 - - 0,4* 1200*
НМ9187 2.10.з 2.18,м 16 - - 0,5 600
HT9102F 2.11,е 2.18,л 18 - - 0,5 400
НТ9115В 2.13,e 2.18,м 22 - - 0,4* 1200*
KS5804 2.10,з 2.l8,u 16 22 0,8 20 100
KS5805A 2.10,а 2.18,а 18 30 0,5 20 35
KS5806B 2.10,б 2.18,б 18 30 - 0,5 20
KS58C05 2.10,а 2.18,а 18 3,6 0.7 0,5 20
KS58006 2.11,а 2.18.н 18 - - 10 100
KS5820 2.11,а 2.18,н 18 - - 0,5 200
KS58C20N 2.11,а 2.18,н 18 - - 0,5 200
KS5851 2.10,а 2.18,б 18 17 0,7 0,1 20
KS5853 2.10,ж 2.18,г 16 28 - 0,2 20
LC7350 2.11,б 2.18,н 18 - - 3 100
LR40981A 2.10.д 2.18,з,и 16 25 0,7 50 90
LR40992 2.11,а 2.18,а 18 30 0,5 20 35
LR40993 2.10,б 2.18,а 18 30 - 0,5 20
М2561АВ 2.11,б 2.18,г 18 - - 3 105
МС145412Р 2.11,д 2.18,м 18 - - 5 120
МК50981 2.10,д 2.18,з,к 16 22 0,7 30 100
MK5092N 2.10,3 2.18,м 16 - - 45 550
MK50992N 2.10,а 2.18,о 18 30 0,5 20 35
МК50993 2.10,6 2.18,о 18 30 - 0,5 20
MK5173AN 2.10,9 2.18,з.и 18 22 0,8 40 100



ТипИС Номер рис. Номер рис. ген-pa Кол-во ВЫВОДОВ Uик защ. В Iвн.ст. мA Icmam. мкА 1дин. мкА
При U = 3 В
S2560A 2.11,6 2.18,г 18 - - 0.3 300
825810 2.11,6 2.18,г 18 - - 0,3 300
87210А 2.10,u 2.18,л 16 - - 3 80
STC52560C 2.11,б 2.18,г 18 - - 0,2 200
Т40992 2.10,а 2.18,а 18 30 0,5 20 35
Т40993 2.10,6 2.18,а 18 30 - 0,5 20
ТС31006Р 2.11,г 2.18.к 18 - - 170 170
TR50981AN 2.10,д 2.18.з.u 16 22 0,8 40 110
UM91210C 2.11,а 2.18.к 18 - - 0,2 190
UM91260C 2.11,а 2.18,к 18 15 - 60 180
UM9151 2.10,в 2.18,р 18 7,5 — 12 12
UM9151-3 2.10,е 2.18,р 16 7,5 - 12 12
UM91610A 2.11,в 2.18,в 18 - - 3 90
UM91611 2.11,6 2.18,г 18 - - 3 105
VT91611 2.11,6 2.18,г 18 - - 3 105
VT9145 2.13,6 2.18,л 22 - 0,2* 500*
W9145 2.13,6 2.18,л 22 - - 0,2* 600*
WE9102 2.10,e 2.18,р 18 7,5 - 12 12
WE9104 2.10,е 2.18,р 18 7,5 - 12 12
WE9110 2.11,6 2.18,г 18 - - 3 95
WE9192B 2.10,г 2.18,а 16 25 0,12 25 40
К145ИК8П 2.12,6 4.2 40 - - 150* 300*
КР1002ХЛ2 2.12,ж 2.18.с 16 - - 0,5 10
КР1008ВЖ1 2.11,ж 2.18,m,y 22 - - 3 50
КР1008ВЖ2 2.12,а 2.18,ж 48 - - 25 60
КР1008ВЖ5 2.11,з 2.18,е 22 - - 2 15
КР1008ВЖ6 2.11.u 2.18,о 22 - - 30 100
КРЮ08ВЖ7 2.11,з 2.18,е 22 - - 2 15
КР1008ВЖ10 2.10,а 2.18,6 18 17 0,7 0,1 20
КР1008ВЖ11 2.10,а 2.18,а 18 30 0,5 20 35
КС1008ВЖ12 2.12,г 2.18,з 18 - - 60 175
КР1008ВЖ14 2.10,г 2.18,а 16 25 0,12 2S 40
КР1008ВЖ15 2.12,е 2.18,а 16 25 0,12 25 40
КР1008ВЖ16 2.11,а 2.18.н 18 - - 10 100
КР1008ВЖ17 2.10,е 2.18,р 16 7,5 - 12 12
КР1064ВЖ5 2.11,з 2.18,е 22 - - 2 15
КР1064ВЖ7 2.11,з 2.18,е 22 - - 2 15
КРЮ83ВЖЗ 2.12,д 2.18,m,y 20 - - 3 50
КР1089ВЖ1 2.12,в 2.18,e 24 - — 2 20
КР1089ВЖ2 2.12,в 2.18,е 24 - - 2 20
КР1091ВЖ1 2.11,а 2.18,к 18 15 - 60 180



Табл. 2.8. Характеристики микросхем номеронабирателей.
ТипИС ОЗУ знаков Доп. ОЗУ номе Тип выхо- да Выходные параметры ИК ИС при логическом состоянии входов
M/S IPS DRS MODE
ров ИК РК 0 1 0 1 0 1 0 1
CIC9102E 22 - ОС Л3 1,5 2,0 800 400 10 Р
CIC9104E 22 - ос Л3 1,6 2,0 800 10 Р
CIC9145E 31 14 л Л2 2,0 1,5 800 10 Т Р
CIC9192BE 17 - ос ос 1.6 800 10 Р
ЕТ40982 17 - ос ос 2,0 1.5 820 10 Р
ЕТ40992 17 - ос ос 1,5 2,0 800 10 20 Р
FT58C51 32 - ос ос 1.5 2,0 800 10 20 Р
HD970040D 17 - ос ос 2,0 1,5 820 10 Р
HD970019-L 22 - л л - - - Т
НМ9100А1 17 - ос ос 1,5 2,0 800 10 20 Р
НМ9100В 17 - ос ос 1,5 2,0 800 10 Р
НМ9102 22 - ос ос 1,5 2,0 800 10 т Р
HM9110D 22 - ос ос 1,6 2,0 800 10 т Р
НМ9112А 31 13 л Л2 2,0 1,5 800 10 т Р
НМ9113А 31 13 л Л2 2,0 1,5 800 10 т Р
НМ9121 22 20 л Л2 1,5 2,0 800 10 т Р
НМ91650В 32 14 л ос 1,5 800 10 т Р
НМ9187 22 - л л - - - т
HT9102F 22 - л Л1 1,5 800 10 т Р
НТ9115В 32 14 л ос 1,5 800 10 т Р
KS5804 17 - ос ос 2,0 1,5 820 10 Р
KS5805A 17 - ос ос 1,5 2,0 800 10 2U Р
KS5805B 17 - ос ос 1,5 2,0 800 10 20 Р
KS58C05 17 - ос ос 1,5 2,0 800 10 20 Р
KS58006 32 - ос ос 1,5 2,0 800 10 т Р
KS58C20N 22 - ос ос 1,5 2,0 830 10 т Р
KS5851 32 - ос ос 1,5 2,0 800 10 20 Р
KS5853 17 - ос ос 1,5 2,0 800 10 Р
LC7350 22 10 ос ос 2,0 1,5 800 400 10 20 Р
LR40981A 17 - ос ос 2,0 1,5 820 10 Р
LR40992 17 - ос ос 1,5 2,0 800 10 20 Р
LR40993 17 - ос ос 1,5 2,0 800 10 20 Р
М2561АВ 22 - л Л1 2,0 1,5 800 400 10 20 Р
МС145412Р 22 - л Л2 1,5 800 10 т Р
МК50981 17 - ос ос 2,0 1,5 820 10 Р
MK6092N 22 - л л - - - т
MK50992N 17 - ос ос 1,5 2,0 800 10 20 Р
МК50993 17 - ос ос 1,5 2,0 800 10 20 Р



ТипИС ОЗУ знаков Доп. ОЗУ номеров Тип выхода Выходные параметры ИК ИС при логическом состоянии входов
M/S IPS DRS MODE
ИК РК о 1 0 1 0 1 0 1
MK5173AN 17 - ОС ос 2,0 1,5 820 10 Р
S2560A 22 - Л Л1 2,0 1,5 800 400 10 20 Р
S26610 22 10 Л Л1 2,0 1.5 800 400 10 20 Р
S7210A 22 10 ОС ос 2,0 1.5 800 10 20 Р
STC52560C 22 10 л Л2 2,0 1.5 800 10 20 Р
Т40992 17 - ос ос 1,5 2,0 800 10 20 Р
Т40993 17 - ос ос 1,5 2,0 800 10 20 Р
TC31006P 20 - л Л1 2,0 1,5 600 10 20 Р
TR50681AN 17 - ос ос 2,0 1,5 820 10 Р
UM91210C 22 - ос ос 1,5 2,0 790 10 Т Р
UM91260C 22 - ос ос 1,5 2,0 790 10 Т Р
UM9151 22 - ос лз 1,5 2,0 740 560 10 Р
UM9151-3 22 - ос лз 1.6 2,0 740 560 10 Р
UM91610A 22 10 л Л1 2,0 1,5 800 10 20 Р
UM91611 22 10 л Л2 2,0 1,5 800 10 20 Р
VT91611 22 10 л Л2 2,0 1,5 800 10 20 Р
VT9145 31 14 л Л2 2,0 1,5 800 10 Т Р
W9145 31 14 л Л2 2,0 1,5 800 10 Т Р
WE9102 22 - ос лз 1,5 2,0 740 560 10 Р
WE9104 22 - ос лз 1,5 2,0 740 560 10 Р
WE9110 22 10 л Л2 2,0 1,5 800 10 20 Р
WE9192B 17 - ос ос 1,5 800 10 Р
КР1002ХЛ2 31 - л Л1 1,5 800 10 Р
КР1008ВЖ1 22 - л л 1,5 2,0 800 700 10 Р
КР1008ВЖ5 22 10 л Л2 1,5 1,6 700 800 10 20 Р
КР1008ВЖ6 22 - л Л2 2,0 1,5 800 10 т Р
КР1008ВЖ7 22 - л Л2 1,5 1,6 700 800 10 20 Р
КР1008ВЖ10 32 - ос ос 1,5 2,0 800 10 20 Р
КР1008ВЖ11 17 - ос ос 1,5 2.0 800 10 20 Р
КС1008ВЖ12 22 - л Л2 2,0 1,5 800 400 10 20 Р
КР1008ВЖ14 17 - ос ос 1,5 800 10 Р
КР1008ВЖ16 17 - ос ос 1,5 800 10 20 Р
КР1008ВЖ16 32 - ос ос 1,5 2.0 800 10 т Р
КР1008ВЖ17 22 - ос лз 1,5 2,0 740 560 10 Р
КР1064ВЖ5 22 10 л Л2 1,5 1,6 700 800 10 20 Р
КР1064ВЖ7 22 10 л Л2 1,5 1,6 700 800 10 20 Р
КР1083ВЖЗ 22 - л Л 1,5 2,0 800 700 10 Р
КР1089ВЖ1 22 10 л Л2 1,5 1,6 700 800 10 20 Р
КР1089ВЖ2 22 - л Л 1,5 1,6 700 800 10 Р


Содержание раздела